报告题目：半导体磁电阻器件和磁逻辑器件
报告地点：实验楼四层报告厅
报告时间：4月15日15: 00
章晓中，男，清华大学材料学院二级教授、博导。1982年在复旦大学物理系获学士学位。1984年在上海交通大学物理系获硕士学位，1985年获国家奖学金赴英国牛津大学材料系攻读博士，1989年获牛津大学博士学位。1989-1992年在英国The Royal Institution of Great Britain做博士后。1992-1999年在新加坡国立大学物理系任教。1999年7月至今在清华大学材料学院任外籍教授、博导。1999-2006年担任清华大学电子显微镜实验室主任、清华大学材料学院中心实验室副主任。目前担任先进材料教育部重点实验室副主任、全国纳米技术标委会副主任委员、全国微束分析标委会顾问、国际晶体学联盟旗舰杂志IUCrJ的co-editor。目前研究领域为：自旋电子学材料与器件、碳材料、纳米材料与纳米结构、材料的电子显微学及计算材料学。已经在Nature等SCI收录杂志上发表论文170篇，获得中国发明专利16项。他多次在国内外重要学术会议上做邀请报告，特别是2012年在国际磁学大会（ICM 2012）上做半大会报告，在2012年国际磁学会议(Intermag 2012)上做邀请报告。他的硅基磁电阻器件工作入选2011年度“中国科学十大进展”和2011年度“中国高等学校十大科技进展”。
报告摘要：以2007年诺贝尔物理奖得主Fert和Grünberg在1988年发现的巨磁电阻（GMR）效应为开端，国际上掀起了自旋电子学的研究高潮。本报告将介绍磁性金属的磁电阻和非磁性材料的磁电阻。 重点介绍我们发明的用硅制备的采用半导体非线性效应加霍尔效应机制的几何增强磁电阻, 该器件在0.06特斯拉和7特斯拉下分别实现了30％和100,000％的室温磁电阻。该工作发表在《Nature》上， 还入选2011年度“中国科学十大进展”和2011年度“中国高等学校十大科技进展”。我们还把该磁电阻机理推广到其他半导体，在砷化镓和锗上在1.2特斯拉磁场室温下实现了2000%的几何增强磁电阻。用半导体制备磁电阻器件可能会对磁传感器和磁存储产业带来革命性的变化。本报告还将介绍磁逻辑器件，重点介绍我们发明的用硅制备的室温下电流控制的可重构磁电阻逻辑器件, 该磁逻辑器件可以在一个器件上实现所有四种基本布尔逻辑运算。该逻辑结构可望与非挥发磁存储结合，构成“逻辑-存储”集成器件，有可能改变目前计算机的冯-诺依曼结构。
