根据《中华人民共和国促进科技成果转化法》及学校规定，现将我校拟许可专利有关事项公示如下:

专利名称：具有水平和垂直交换偏置效应的锰氧化物薄膜及制备方法

专利号：ZL201910278061.7

专利类型：发明专利

专利权人：山西师范大学

发明人：周国伟，许小红，姬慧慧，张军

简介：本发明涉及锰氧化物薄膜制备技术领域，公开了一种具有水平和垂直交换偏置效应的锰氧化物薄膜，其具有[LaMnO₃(m)/SrMnO₃(n)]₁₀的结构，其中LaMnO₃为一种A型反铁磁莫特绝缘体材料，SrMnO₃为一种G型反铁磁禁带绝缘体材料，在这两种锰氧化物组成的异质结界面处，由于锰离子价态的不同会产生明显的双交换作用，本发明的锰氧化物薄膜最高水平交换偏置可达950 Oe，最大垂直磁滞回线偏移可达29 %。相比较其他薄膜，本发明的锰氧化物薄膜厚度更薄，整体厚度只有几十纳米，可以很好地用于小型化、微型化的自旋阀及传感器等磁记录材料中。

受许可方：合肥菲斯科技材料有限公司

许可期限：一年（自签合同之日起）

许可价格：人民币壹拾万伍仟元整 ¥105000.00

定价方式：协议定价

公示时间：2024年9月6日至2024年9月20日

公示期间，如有异议，请以书面形式向学校反映。

联系人：曹老师

联系电话：0351-2051077

                   科技部

                  2024年9月6日